IGBT3 Chip
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 500 ns |
标称接通时间 (ton) | 300 ns |
Base Number Matches | 1 |
SIGC12T120L | Q67050-A4269-A101 | |
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描述 | IGBT3 Chip | IGBT3 Chip |
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