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SIGC12T120L

产品描述IGBT3 Chip
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SIGC12T120L概述

IGBT3 Chip

SIGC12T120L规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUUC-N2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)500 ns
标称接通时间 (ton)300 ns
Base Number Matches1

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