IGBT3 Chip
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 250 ns |
标称接通时间 (ton) | 25 ns |
Base Number Matches | 1 |
SIGC04T60G | Q67050-A4346-A101 | |
---|---|---|
描述 | IGBT3 Chip | IGBT3 Chip |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved