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1N18-BP

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小621KB,共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N18-BP概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN

1N18-BP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH EFFIENCY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N17
THRU
1N19
1.0 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to 40 Volts
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
High Efficiency and High Current Capability
Low Forward Voltage Drop and Low Power loss
Metal Silicon junction, majority carrier conduction
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
Marking : Cathode band and type number
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +125°C
Typical Thermal Resistance: 50
o
C/W junction to Ambient
For capacitive load. Derate current by 20%
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
Maximum DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
D
R-1
MCC
Part Number
1N17
1N18
1N19
Maximum
RMS
Voltage
14V
21V
28V
A
Cathode Mark
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1N17
1N18
1N19
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
(AV)
I
FSM
1.0A
25A
T
A
= 90°C
8.3ms, half sine
D
B
V
F
C
0.45V
0.55V
0.60V
0.5mA
10mA
110pF
I
FM
= 1.0A;
T
C
= 25°C
DIMENSIONS
INCHES
MM
NOTE
MIN
A
B
C
D
0.116
0.091
0.020
0.787
MAX
0.140
0.102
0.024
-----
MIN
2.90
2.30
0.50
20.00
MAX
3.50
2.60
0.60
-----
I
R
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
DIM
C
J
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: 5
www.mccsemi.com
1 of 3
2008/01/01

1N18-BP相似产品对比

1N18-BP 1N19-BP C1812X7R201-750MNE
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN Ceramic Capacitor, Ceramic, 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, -/+15ppm/Cel TC, 0.000075uF, 1812,
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 PLASTIC, R-1, 2 PIN PLASTIC, R-1, 2 PIN , 1812
Reach Compliance Code _compli _compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e3 e3
端子数量 2 2 2
封装形式 LONG FORM LONG FORM SMT
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
针数 2 2 -
其他特性 HIGH EFFIENCY, LOW POWER LOSS HIGH EFFIENCY, LOW POWER LOSS -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
湿度敏感等级 1 1 -
元件数量 1 1 -
最大输出电流 1 A 1 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V -
表面贴装 NO NO -
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY -
端子形式 WIRE WIRE -
端子位置 AXIAL AXIAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
Base Number Matches 1 1 -

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