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SI3458DV-T1-GE3

产品描述MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI3458DV-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI3458DV-T1-GE3概述

MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V

SI3458DV-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES

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Si3458DV
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
60
R
DS(on)
(Ω)
0.10 at V
GS
= 10 V
0.13 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
3.2
2.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 100 % R
g
Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top View
1
6
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
(4) S
Ordering Information:
Si3458DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3458DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a, b
Pulsed Drain Current
Silngle Avalanche Current
Maximum Power Dissipation
a,b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
P
D
T
J
, T
stg
Limit
60
± 20
3.2
2.5
15
10
2
1.3
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Lead
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t
5 s.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJL
Typical
106
35
Maximum
62.5
°C/W
Unit
Document Number: 70859
S09-0765-Rev. E, 04-May-09
www.vishay.com
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