电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SR205

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 2A,50V,AXIAL SCHOTTKY Rect
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小191KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SR205在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SR205 - - 点击查看 点击购买

SR205概述

Schottky Diodes & Rectifiers 2A,50V,AXIAL SCHOTTKY Rect

SR205规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

文档预览

下载PDF文档
SR202 - SR220
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
2A, 20V - 200V Schottky Barrier Rectifiers
FEATURES
- Low forward voltage drop
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC (DO-15)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.4g (approximately)
DO-204AC (DO-15)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@2A
T
J
=25°C
Maximum reverse current @ rated V
R
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300
μs,
1% duty cycle
T
J
=100°C
T
J
=125°C
dV/dt
R
θJC
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
- 55 to +125
I
R
10
-
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
5
-
10000
14.0
21.7
75.0
- 55 to +150
- 55 to +150
SR
202
20
14
20
SR
203
30
21
30
SR
204
40
28
40
SR
205
50
35
50
SR
206
60
42
60
2
50
0.70
0.85
0.1
-
2
V/μs
°C/W
°C
°C
mA
0.95
SR
209
90
63
90
SR
210
100
70
100
SR
215
150
105
150
SR
220
200
140
200
UNIT
V
V
V
A
A
V
Document Number: DS_D1408018
Version: K15

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2044  1916  2364  2510  57  52  5  18  40  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved