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TK10Q60WS1VQ

产品描述MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小247KB,共11页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK10Q60WS1VQ概述

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60WS1VQ规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-251-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current9.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance327 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3.7 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge20 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
80 W
Channel ModeEnhancement
高度
Height
6.1 mm
长度
Length
6.65 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
2.3 mm
Fall Time5.5 ns
Rise Time22 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
75
Typical Turn-Off Delay Time75 ns
Typical Turn-On Delay Time45 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz
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