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5962-9315601HYX

产品描述SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小217KB,共20页
制造商White Microelectronics
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5962-9315601HYX概述

SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32

5962-9315601HYX规格参数

参数名称属性值
厂商名称White Microelectronics
包装说明DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度40.6 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
DESCRIPTION
Added Case outline Y. Changes to table I.
Added note to paragraph 1.2.2 and table I to regarding the 4 transistor
design. Added thermal resistance ratings for all case outlines to
paragraph 1.3. Editorial changes throughout. -sld
Update drawing to latest requirements of MIL-PRF-38534. -gc
DATE (YR-MO-DA)
96-04-19
00-07-10
APPROVED
K. A. Cottongim
Raymond Monnin
C
17-10-17
Charles F. Saffle
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
C
17
C
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Steve L. Duncan
CHECKED BY
Michael C. Jones
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
DLA LAND AND MARITIME
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil/
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
APPROVED BY
Kendall A. Cottongim
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY,
DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS
MEMORY, CMOS, 128K x 8-BIT
DRAWING APPROVAL DATE
93-04-01
REVISION LEVEL
C
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
18
5962-93156
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release. Distribution is unlimited.
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