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MJ11030G

产品描述Darlington Transistors BIP NPN 50A 90V FG
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJ11030G概述

Darlington Transistors BIP NPN 50A 90V FG

MJ11030G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
零件包装代码TO-3
包装说明LEAD FREE, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数2
制造商包装代码197A-05
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压90 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)400
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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