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BYT51A-TR

产品描述Rectifiers 1.5 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYT51A-TR概述

Rectifiers 1.5 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM

BYT51A-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码E-LALF-W2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间4 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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BYT51A, BYT51B, BYT51D, BYT51G, BYT51J, BYT51K, BYT51M
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Low reverse current
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
949539
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
APPLICATIONS
• Rectification diode
ORDERING INFORMATION
(Example)
DEVICE NAME
BYT51M
BYT51M
ORDERING CODE
BYT51M-TR
BYT51M-TAP
TAPED UNITS
5000 per 10" tape and reel
5000 per ammopack
MINIMUM ORDER QUANTITY
25 000
25 000
PARTS TABLE
PART
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 50 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 100 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 200 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 400 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 600 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 800 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 1000 V; I
F(AV)
= 1.5 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYT51A
BYT51B
Reverse voltage
= repetitive peak reverse voltage
BYT51D
See electrical characteristics
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Junction and storage temperature range
Non repetitive reverse avalanche energy
l
(BR)R
= 1 A
l = 10 mm
On PC board
t
p
= 10 ms, half sine wave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
F(AV)
I
F(AV)
T
j
= T
stg
E
R
VALUE
50
100
200
400
600
800
1000
50
9
1.5
1
-55 to +175
20
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
°C
mJ
Rev. 2.0, 04-Nov-15
Document Number: 86028
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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BYT51A-TR BYT51B-TAP
描述 Rectifiers 1.5 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM Rectifiers 1.5 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V
JESD-30 代码 E-LALF-W2 E-LALF-W2
JESD-609代码 e2 e2
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
最大重复峰值反向电压 50 V 100 V
最大反向恢复时间 4 µs 4 µs
表面贴装 NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
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