电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

LNJ837W83RA

产品描述Standard LEDs - SMD LED ORG HI-BRT ESS
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小182KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 全文预览

LNJ837W83RA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
LNJ837W83RA - - 点击查看 点击购买

LNJ837W83RA概述

Standard LEDs - SMD LED ORG HI-BRT ESS

LNJ837W83RA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
颜色ORANGE
颜色@波长Orange
配置SINGLE
最大正向电流0.02 A
最大正向电压2.3 V
标称发光强度17.5 mcd
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量2
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
光电设备类型SINGLE COLOR LED
总高度0.2 mm
包装方法BULK
峰值波长630 nm
最大反向电压4 V
形状RECTANGULAR
尺寸1.1 mm
表面贴装YES

文档预览

下载PDF文档
LNJ837W83RA
Hight Bright Surface Mounting Chip LED
ESS
II
Type
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
Parameter
Power dissipation
Forward current
Pulse forward current
*
Reverse voltage
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
opr
T
stg
Rating
55
20
60
4
–30 to +85
–40 to +100
Unit
mW
mA
mA
V
°C
°C
Lighting Color
Orange
Note) *: The condition of I
FP
is duty 10%, Pulse width 1 msec.
Electro-Optical Characteristics
T
a
= 25°C±3°C
Parameter
Luminous intensity
*1
Reverse current
Forward voltage
Peak emission wavelength
Dominant emission wavelength
*2
Spectral half band width
Note) *1: Measurement tolerance:
±20%
*2: Measurement tolerance:
±2
nm
10
2
Symbol
I
O
I
R
V
F
λ
P
λ
d
Δλ
I
F
= 5 mA
V
R
= 4 V
I
F
= 5 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 5 mA
Conditions
Min
11.5
Typ
17.5
1.95
630
Max
47.3
100
2.30
627
Unit
mcd
µA
V
nm
nm
nm
615
620
13
I
O
I
F
10
2
I
F
V
F
Relative luminous intensity (%)
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
10
3
Relative luminous intensity
T
a
Luminous intensity I
O
(mcd)
10
Forward current I
F
(mA)
10
10
2
1
10
−1
1
10
10
2
1
1.5
10
−30
0
30
60
90
Forward current I
F
(mA)
Forward voltage V
F
(V)
40
Y
Ambient temperature T
a
(°C)
Relative luminous intensity
 λ
P
100
I
F
T
a
Relative luminous intensity (%)
Forward current I
F
(mA)
80
60
40
20
0
550
X
Directive characteristics
−20° −10°
80°
60°
40°
20°
10° 20°
30°
40°
50°
60°
70°
30
−30°
X
Y
−40°
−50°
−60°
−70°
−80°
600
650
−90°
700 100
80
60
20
10
80°
20
40
60
80
90°
100
0
−30
0
30
60
90
40
20
0
Peak emission wavelength
λ
P
(nm)
Publication date: November 2016
Relative luminous intensity (%)
Ver. CEK
Ambient temperature T
a
(°C)
1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2800  644  423  1834  690  57  13  9  37  14 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved