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1N4150-AP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小522KB,共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N4150-AP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

1N4150-AP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4150
Features
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Low Current Leakage
Compression Bond Construction
Low Cost
Marking : Cathode band and type number
Moisture Sensitivity Level 1
500mW 75 Volt Silicon
Epitaxial Diode
DO-35
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°C
to +150
°C
Storage Temperature: -55
°C
to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 300
°C/W
Junction To Ambient
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Reverse Voltage
Breakdown Voltage
Average Rectified
Current
Power Dissipation
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Junction
Capacitance
Maximum Reverse
Recovery Time
Note:
D
V
R
B
V
I
O
P
TOT
I
FSM
V
F
50V
75V
200mA
500mW
1.0A
4.0A
1.0V
Pulse Width=1.0S
Pulse Width=1.0
µS
I
FM
= 100mA;
T
J
= 25
°C*
V
R
=50Volts
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
DIMENSIONS
D
I
R
=5.0μA
A
Cathode
Mark
B
C
I
R
100nA
100µA
C
J
2.5pF
Measured at 1.0MHz,
V
R
=0
I
F
=10mA
V
R
=6.0V
R
L
=100Ω
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MAX
.166
.079
.020
---
MM
MIN
---
---
---
25.40
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
T
rr
4.0nS
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.
Revision: C
www.mccsemi.com
1 of 3
2012/12/04

1N4150-AP相似产品对比

1N4150-AP 1N4150-TP 1N4150-BP
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-35 DO-35 DO-35
包装说明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
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