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1N4150_AY_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4150_AY_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2

1N4150_AY_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N4150
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES
VOLTAGE
50 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Mini Melf, Glass
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
3.0
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum Average Forward Current at T
A
=25
O
C And f > 50Hz
Surge Forward Current at t < 1s and T
J
=25
Power Dissipation at Tamb= 25
O
O
SYMBOL
V
R
V
R M
V
R M S
I
F (A V )
I
F S M
P
T O T
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
,T
S
1N4150
50
50
35
200
500
500
1.0
0.1
4
4
350
-65 to +175
UNITS
V
V
V
mA
mA
mW
V
µA
pF
ns
O
C
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=200mA
Maximum Leakage Current at V
R
= 50V
Maximum Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typcal Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-FEB.06.2009
PAGE . 1
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