256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | WDIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 36.83 mm |
| 内存密度 | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.89 mm |
| 最大待机电流 | 0.015 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| HN27C256HG-85 | HN27C256HG-70 | HN27C256H | HN27C256HP-85 | HN27C256HP-10 | HN27C256HFP-10T | HN27C256HFP-85T | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM | 256k (32k x 8-bit) UV and OPT EPROM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - | DIP | DIP | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | WDIP, DIP28,.6 | WDIP, DIP28,.6 | - | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | SOP, SOP28,.5 | SOP, SOP28,.5 |
| 针数 | 28 | 28 | - | 28 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 85 ns | 70 ns | - | 85 ns | 100 ns | 100 ns | 85 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | - | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 36.83 mm | 36.83 mm | - | 35.6 mm | 35.6 mm | 18 mm | 18 mm |
| 内存密度 | 262144 bi | 262144 bi | - | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | - | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | - | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | - | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | - | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | - | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | WDIP | WDIP | - | DIP | DIP | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | - | DIP28,.6 | DIP28,.6 | SOP28,.5 | SOP28,.5 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE, WINDOW | - | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 12.5 V | 12.5 V | - | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.89 mm | 5.89 mm | - | 5.7 mm | 5.7 mm | 3 mm | 3 mm |
| 最大待机电流 | 0.015 A | 0.015 A | - | 0.015 A | 0.015 A | 0.015 A | 0.015 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | - | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | - | 15.24 mm | 15.24 mm | 8.4 mm | 8.4 mm |
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