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HMC511LP5E

产品描述VCO, 9050 MHz - 10150 MHz
产品类别无源元件    振荡器   
文件大小351KB,共6页
制造商Hittite Microwave(ADI)
官网地址http://www.hittite.com/
标准
相似器件已查找到1个与HMC511LP5E功能相似器件
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HMC511LP5E概述

VCO, 9050 MHz - 10150 MHz

压控振荡器, 9050 MHz - 10150 MHz

HMC511LP5E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Hittite Microwave(ADI)
包装说明LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大控制电压13 V
最小控制电压2 V
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量32
偏移频率100 kHz
最大工作频率10150 MHz
最小工作频率9050 MHz
标称工作频率10150 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
振荡器类型VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
输出功率9 dBm
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码LCC32,.2SQ,20
相位噪声-115 dBc/Hz
物理尺寸5.1mm x 5.1mm x 1.0mm
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率300 mA
最大供电电压5.25 V
最小供电电压4.75 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术GAAS
端子面层Matte Tin (Sn)

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HMC511LP5
/
511LP5E
v00.0506
MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY
OUTPUT 9.05 - 10.15 GHz
Typical Applications
Low noise MMIC VCO w/Half Frequency, for:
• VSAT Radio
• Point to Point/Multi-Point Radio
• Test Equipment & Industrial Controls
• Military End-Use
Features
Dual Output: Fo = 9.05 - 10.15 GHz
Fo/2 = 4.525 - 5.075 GHz
Pout: +13 dBm
Phase Noise: -115 dBc/Hz @100 kHz Typ.
No External Resonator Needed
QFN Leadless SMT Package, 25 mm
2
Functional Diagram
General Description
The HMC511LP5 & HMC511LP5E are GaAs InGaP
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs.
The HMC511LP5 & HMC511LP5E integrate resonators,
negative resistance devices, varactor diodes and
feature a half frequency output. The VCO’s phase
noise performance is excellent over temperature,
shock, and process due to the oscillator’s monolithic
structure. Power output is +13 dBm typical from a +5V
supply. The voltage controlled oscillator is packaged
in a leadless QFN 5x5 mm surface mount package,
and requires no external matching components.
11
VCO
S
& PLOs - SMT
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C, Vcc = +5V
Parameter
Frequency Range
Power Output
SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RFOUT
Tune Voltage
Supply Current (Icc) (Vcc = +5.0V)
Tune Port Leakage Current (Vtune= 13V)
Output Return Loss
Harmonics/Subharmonics
1/2
2nd
3rd
2
38
15
30
8
15
0.9
Vtune
2
200
265
Fo
Fo/2
RFOUT
RFOUT/2
+9
+5
-115
13
300
10
Min.
Typ.
9.05 - 10.15
4.525 - 5.075
+16
+11
Max.
Units
GHz
GHz
dBm
dBm
dBc/Hz
V
mA
μA
dB
dBc
dBc
dBc
MHz pp
MHz/V
MHz/°C
Pulling (into a 2.0:1 VSWR)
Pushing @ Vtune= 5V
Frequency Drift Rate
11 - 126
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com

HMC511LP5E相似产品对比

HMC511LP5E HMC511LP5
描述 VCO, 9050 MHz - 10150 MHz VCO, 9050 MHz - 10150 MHz
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Hittite Microwave(ADI) Hittite Microwave(ADI)
包装说明 LCC32,.2SQ,20 LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大控制电压 13 V 13 V
最小控制电压 2 V 2 V
JESD-609代码 e3 e0
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
端子数量 32 32
偏移频率 100 kHz 100 kHz
最大工作频率 10150 MHz 10150 MHz
最小工作频率 9050 MHz 9050 MHz
标称工作频率 10150 MHz 10150 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
振荡器类型 VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
输出功率 9 dBm 9 dBm
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 LCC32,.2SQ,20 LCC32,.2SQ,20
相位噪声 -115 dBc/Hz -115 dBc/Hz
物理尺寸 5.1mm x 5.1mm x 1.0mm 5.1mm x 5.1mm x 1.0mm
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 300 mA 300 mA
最大供电电压 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 GAAS GAAS
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)

与HMC511LP5E功能相似器件

器件名 厂商 描述
HMC511LP5 Hittite Microwave(ADI) VCO, 9050 MHz - 10150 MHz
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