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HMC452ST89

产品描述400 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小1023KB,共22页
制造商Hittite Microwave(ADI)
官网地址http://www.hittite.com/
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HMC452ST89概述

400 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

400 MHz - 2200 MHz 射频/微波宽带功率放大器

HMC452ST89规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hittite Microwave(ADI)
包装说明TO-243
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益7 dB
最大输入功率 (CW)31 dBm
JESD-609代码e0
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量3
最大工作频率2200 MHz
最小工作频率400 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TO-243
电源5 V
射频/微波设备类型WIDE BAND MEDIUM POWER
表面贴装YES
技术BIPOLAR
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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HMC452ST89
/
452ST89E
v01.0205
InGaP HBT 1 WATT POWER
AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz
5
AMPLIFIERS - SMT
Designer’s Kit
Available
Typical Applications
The HMC452ST89 / HMC452ST89E is ideal for applica-
tions requiring a high dynamic range amplifier:
• GSM, GPRS & EDGE
• CDMA & W-CDMA
• CATV/Cable Modem
• Fixed Wireless
Features
Output IP3: +49 dBm
21 dB Gain @ 400 MHz
9 dB Gain @ 2100 MHz
50% PAE @ +31 dBm Pout
+25 dBm CDMA2000 Channel Power
@ -45 dBc ACP
Included in the HMC-DK002 Designer’s Kit
Functional Diagram
General Description
The HMC452ST89 & HMC452ST89E are high
dynamic range GaAs InGaP HBT 1 Watt MMIC power
amplifiers operating from 0.4 to 2.2 GHz and packaged
in industry standard SOT89 packages. Utilizing a
minimum number of external components and a single
+5V supply, the amplifier output IP3 can be optimized
to +45 dBm at 0.4 GHz or +49 dBm at 2.1 GHz. The
high output IP3 and PAE make the HMC452ST89 &
HMC452ST89E ideal power amplifiers for Cellular/
PCS/3G and Fixed Wireless applications.
Electrical Specifications,
T
A
= +25°C, Vs= +5V
[1]
Parameter
Frequency Range
Gain
Gain Variation Over
Temperature
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power for
1dB
Compression (P1dB)
Saturated Output
Power (Psat)
Output Third Order
Intercept (IP3) [2]
Noise Figure
Supply Current (Icq)
42
27
19
Min.
Typ.
400 - 410
21
0.012
22
11
30
27
0.02
18
Max.
Min.
Typ.
450 - 496
20
0.012
16
11
30
27.5
0.02
13.5
Max.
Min.
Typ.
810 - 960
15.5
0.012
13
14
30.5
28
0.02
7
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Units
MHz
dB
0.02
dB /
°C
dB
dB
dBm
1710 - 1990
9.5
0.012
13
15
31
28.5
0.02
7
2010 - 2170
9
0.012
20
15
31.5
30.5
45
6.5
510
42
30.5
45
7
510
44
31.5
47
6.5
510
45
31.5
48
6.5
510
46
32
49
6.5
510
dBm
dBm
dB
mA
[1] Specifications and data reflect HMC452ST89 measured using the respective application circuits for each designated frequency band found
herein. Contact the HMC Applications Group for assistance in optimizing performance for your application.
[2] Two-tone input power of 0 dBm per tone, 1 MHz spacing.
5 - 274
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com

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描述 400 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER 400 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Hittite Microwave(ADI) Hittite Microwave(ADI)
包装说明 TO-243 TO-243
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 7 dB 7 dB
最大输入功率 (CW) 31 dBm 31 dBm
JESD-609代码 e0 e3
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1
端子数量 3 3
最大工作频率 2200 MHz 2200 MHz
最小工作频率 400 MHz 400 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 TO-243 TO-243
电源 5 V 5 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND MEDIUM POWER WIDE BAND MEDIUM POWER
表面贴装 YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
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