256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | GSI Technology |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, |
| 针数 | 119 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 2.5 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22 mm |
| 内存密度 | 9437184 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 119 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX36 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.99 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| GS882V37AB-200 | GS882V37AB | GS882V37AB-200I | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | GSI Technology | - | GSI Technology |
| 零件包装代码 | BGA | - | BGA |
| 包装说明 | BGA, | - | BGA, |
| 针数 | 119 | - | 119 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | - | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 2.5 ns | - | 2.5 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | - | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | - | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 22 mm | - | 22 mm |
| 内存密度 | 9437184 bi | - | 9437184 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | - | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 | - | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 | - | 3 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 119 | - | 119 |
| 字数 | 262144 words | - | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | - | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C |
| 组织 | 256KX36 | - | 256KX36 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | - | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.99 mm | - | 1.99 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2 V | - | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.6 V | - | 1.6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL | - | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | - | 14 mm |
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