1N5819: 产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小119KB，共2页; 制造商ETC

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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称	属性值
端子数量	1
元件数量	1
加工封装描述	DIE-2
状态	DISCONTINUED
包装形状	SQUARE
包装尺寸	UNCASED 芯片
表面贴装	Yes
端子形式	NO 铅
端子涂层	锡铅
端子位置	UPPER
包装材料	UNSPECIFIED
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	信号二极管
最大重复峰值反向电压	45 V
最大平均正向电流	1 A

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SCHOTTKY BARRIEER RECTIFIER

1N5817 THRU 1N5819

FEATURES

•

VOLTAGE RANGE

CURRENT

20 to 40 Volts

1.0 Ampere

Fast switching speed

Low forward voltage

Low power loss, high efficiency

High surge current capacity

High Temperature soldering guaranteed:

260

C / 10 second, 0.375” (9.5mm) lead length

MECHANICAL DATA

•

Case: Transfer molded plastic

Epoxy: UL94V – 0 rate flame retardant

Polarity: Color Band denotes cathode end

Lead: Plated axial lead, solderable per MIL – STD-202E

Method 208C

Mounting Position: Any

Weight: 0.012 ounce, 0.33 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

•

DO-41

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load

For capacitive load derate current by 20%

SYMBOLS

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current,

0.375” (9.5mm) lead length

at T

= 90

C (Note 1)

Peak Forward Surge Current

8.3mS single half sine wave superimposed on

rated load (JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1.0A

@ 3.0A

Maximum DC Reverse Current at Rated

DC Blocking Voltage per element

= 25

= 100

RRM

RMS

(AV)

FSM

θJA

STG

1N5817

1N5818

1.0

1N5819

UNIT

Volts

Amps

0.450

0.750

0.550

0.875

1.0

110

(-55 to +125)

0.600

0.900

Volts

Typical Junction Capacitance

(Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V)

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Rang

C/W

Notes:

Thermal resistance from junction to ambient with 0.375” (9.5mm) lead length, PCB mounted, with

1.5” x 1.5” (38cm x 38cm) copper pads

Sep-03, Rev A

Micro Electronic Instrument Inc.

1N5819相似产品对比

	1N5819	1N5817	1N5818
描述	1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE	RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41	1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态	DISCONTINUED	CONSULT MFR	TRANSFERRED
二极管类型	信号二极管	整流二极管	信号二极管
端子数量	1	-	2
元件数量	1	-	1
加工封装描述	DIE-2	-	塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状	SQUARE	-	圆
包装尺寸	UNCASED 芯片	-	LONG FORM
端子形式	NO 铅	-	线
端子位置	UPPER	-	AXIAL
包装材料	UNSPECIFIED	-	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY	-	SCHOTTKY
结构	单一的	-	单一的
壳体连接	隔离	-	隔离
二极管元件材料	硅	-	硅
最大重复峰值反向电压	45 V	-	30 V
最大平均正向电流	1 A	-	1 A

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