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30PRA40

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 400V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共5页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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30PRA40概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.4A, 400V V(RRM), Silicon,

30PRA40规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1.4 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.21 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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3A 400A 210ns
FRD
Type
:
30PRA40
30PRA40
OUTLINE DRAWING
FEATURES
* Super Fast Recovery
* Low Forward Voltage Drop
* Low Power Loss, High Efficiency
* High Surge Capability
* 100 Volts thru 600 Volts Types Available
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
70
3.0
1.6
Apporox Net Weight:1.19g
30PRA40
400
Tl=121°C (Tl:Lead
50Hz Half Sine
Temperature)
Wave Resistive Load
Ta=39°C *1
4.71
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Unit
V
A
A
A
°C
°C
Electrical/Thermal
Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max.
-
-
-
-
-
-
10
1.15
210
8
80
Unit
µA
V
ns
°C/W
I
RM
Tj= 25°C, V
RM
= V
RRM
V
FM
Tj= 25°C, I
FM
= 3 A
trr
Ta= 25°C, I
FM
=1A, -di/dt=50A/µs
Rth(j-l) Junction to Lead
Thermal Resistance
Rth(j-a) Junction to Ambient
∗1
∗1:
Without Fin or P.C. Board mounted
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