Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ADPOW |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | MOTOR DRIVE BUCK CONFIGURATION |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 43 A |
最大漏极电流 (ID) | 43 A |
最大漏源导通电阻 | 0.12 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PUFM-D4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 520 W |
最大功率耗散 (Abs) | 520 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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