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APT5012JNU3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小576KB,共7页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT5012JNU3概述

Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

APT5012JNU3规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性MOTOR DRIVE BUCK CONFIGURATION
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)43 A
最大漏极电流 (ID)43 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-D4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值520 W
最大功率耗散 (Abs)520 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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