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BYVF32

产品描述18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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BYVF32概述

18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYVF32 Series
PRV : 50 - 200 Volts
Io : 18 Ampere
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* Low leakage, high voltage
* Glass passivated chip junction
* Pb / RoHS Free
Dual Ultrafast Plastic Rectifiers
ITO-220AB
0.134(3.4)DIA.
0.113(3.0)DIA.
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.406(10.3)MAX.
0.185(4.70)Max.
0.124(3.16)Max.
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.603(15.5)
0.573(14.8)
1
2 3
0.161(4.1)Max.
0.543(13.8)
0.512(13.2)
0.055(1.4)Max.
0.110(2.8)
0.098(2.5)
MECHANICAL DATA :
* Case : Epoxy, Molded
* Lead Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
* Polarity: As marked
* Mounting Position: Any
* Weight : 2.24 grams (Approximately)
0.035(0.9)Max.
0.030(0.76)Max.
0.100(2.55)
PIN 1
PIN 2
PIN 3
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta =25°C unless otherwise specified.)
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current, Tc = 100°C
Maximum Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method) at Tc = 100°C
Maximum Instantaneous Forward Voltage per Leg
at I
F
= 20A
I
F
= 5.0A, Tj = 100°C
Maximum Reverse Current per Leg
at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Reverse Recovery Time per Leg
(I
F
= 1A, V
R
= 30V , di/dt = 100A/µs, Irr = 10%I
RM
)
Typical junction capacitance at 4V, 1MHz
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case
Operating storage and temperature range
I
R
I
R(H)
Trr
Cj
RθJC
T
J
, T
STG
V
F
1.15
0.85
10 (Tc = 25°C)
600 (Tc = 100°C)
35
85
3.0
- 55 to + 150
µA
µA
ns
pF
°C/W
°C
V
I
FSM
150
A
SYMBOL BYVF32-50
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
BYVF32-
100
100
70
100
BYVF32-150
150
105
150
18
BYVF32-
200
200
140
200
UNIT
V
V
V
A
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 25, 2005

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BYVF32 BYVF32-100 BYVF32-50 BYVF32-150 BYVF32-200
描述 18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 18 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 18 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 18 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
厂商名称 - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code - compli compli compli compli
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