RF Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ADPOW |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-F10 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 9 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-XDSO-F10 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 10 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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