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APTM50UM09F-ALN

产品描述Power Field-Effect Transistor, 497A I(D), 500V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小296KB,共6页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APTM50UM09F-ALN概述

Power Field-Effect Transistor, 497A I(D), 500V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-5

APTM50UM09F-ALN规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)497 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)1988 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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