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CMBD99

产品描述SILICON EPITAXIAL GENERAL SWITCHING DIODE
文件大小181KB,共3页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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CMBD99概述

SILICON EPITAXIAL GENERAL SWITCHING DIODE

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SILICON EPITAXIAL GENERAL SWITCHING DIODE
CMBD99
SOT-23
Pin Configuration
1 = ANODE
2 = CATHODE
3 = ANODE/
CATHODE
3
MARKING : C7
1
2
Silicon Epitaxial General Switching Double Diode Series.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (per diode)
DESCRIPTION
Repetitive Peak Reverse Voltage
Continuous Reverse Voltage
Non- Repetitive Peak Forward Current t=1us
Peak Forward Current
Average Forward Current
Power Dissipation Ta=25 deg C
Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
DESCRIPTION
Reverse Voltage Leakage Current
Forward Voltage
SYMBOL
VALUE
VRM
35
VR
30
IFSM
4.0
IFM
300
IO
100
PT
150
Tj
125
Tstg
-55 to +125
(Ta=25 deg C Unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
TYP
IR
VF
VR=30V
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
VR=0V, f=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
UNIT
V
V
A
mA
mA
mW
deg C
deg C
MAX
100
1.0
1.2
1.4
4.0
UNIT
nA
V
V
V
pF
Diode Capacitance
CD
Continental Device India Limited
Data Sheet
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