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CMPTA77

产品描述SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA77概述

SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

CMPTA77规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)10000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz

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CMPTA77
SURFACE MOUNT
PNP SILICON
DARLINGTON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA77
type is a Silicon PNP Darlington Transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for applications requiring extremely
high gain.
MARKING CODE: C77
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCES
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
60
10
500
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICES
ICBO
IEBO
BVCES
BVCBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
TEST CONDITIONS
VCE=50V
VCB=50V
VEB=10V
IC=100µA
IC=100µA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
10,000
10,000
125
MHz
60
60
1.5
2.0
MIN
MAX
500
100
100
UNITS
nA
nA
nA
V
V
V
V
R0 (19-March 2003)

 
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