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CMHD7006

产品描述SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMHD7006概述

SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE

CMHD7006规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RE
P
LIM
Y
AR
IN
CMHD7006
Central
TM
SURFACE MOUNT
VERY HIGH VOLTAGE
SILICON SWITCHING DIODE
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMHD7006 is a
silicon switching diode manufactured by the
epitaxial planar process and packaged in an
epoxy molded SOD-123 surface mount case.
This device is designed for applications requiring
high voltage switching diodes.
MARKING CODE: C76
SOD-123 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Forward Surge Current, tp=1.0 µs
Forward Surge Current, tp=1.0 s
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
600
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
VR=480V
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
P
VR=480V, TA=150°C
IR=1.0µA
IF=10mA
E
R
IM
L
TJ, Tstg
Θ
JA
IN
Y
R
A
600
100
300
4.0
1.0
400
-65 to +150
312.5
TYP
7.0
675
0.88
1.04
1.16
MAX
100
100
600
1.0
1.2
1.4
5.0
500
UNITS
nA
µA
V
V
V
V
pF
ns
IF=50mA
IF=100mA
VR=0V, f=1.0 MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
R0 (12-January 2004)

 
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