R1RW0416DGE-2LR,R1RW0416DGE-2LR pdf中文资料,R1RW0416DGE-2LR引脚图,R1RW0416DGE-2LR电路-Datasheet-电子工程世界

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R1RW0416DGE-2LR: 产品描述256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44; 产品类别存储存储; 文件大小94KB，共16页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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R1RW0416DGE-2LR概述

256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44

R1RW0416DGE-2LR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ44,.44
针数	44
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
Samacsys Descripti	Renesas Electronics SRAM, R1RW0416DGE-2LR- 4Mbi
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J44
长度	28.57 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ44,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

R1RW0416DGE-2LR相似产品对比

	R1RW0416DGE-2LR	R1RW0416D	R1RW0416DGE-2PR	R1RW0416DSB-2PR	R1RW0416DSB-2LR
描述	256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44	256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44	256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44	256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44	256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
内存宽度	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44
组织	256KX16	256K X 16	256KX16	256KX16	256KX16
表面贴装	YES	Yes	YES	YES	YES
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ	-	SOJ	TSOP2	TSOP2
包装说明	SOJ, SOJ44,.44	-	SOJ, SOJ44,.44	SOP, TSOP44,.46,32	SOP, TSOP44,.46,32
针数	44	-	44	44	44
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
Samacsys Descripti	Renesas Electronics SRAM, R1RW0416DGE-2LR- 4Mbi	-	-	Renesas Electronics SRAM, R1RW0416DSB-2PR- 4Mbi	Renesas Electronics SRAM, R1RW0416DSB-2LR- 4Mbi
最长访问时间	12 ns	-	12 ns	12 ns	12 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J44	-	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	28.57 mm	-	28.57 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
湿度敏感等级	2	-	2	2	2
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	-	SOJ	SOP	SOP
封装等效代码	SOJ44,.44	-	SOJ44,.44	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	-	245	260	260
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	-	3.55 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	2 V	-	3 V	3 V	2 V
最大压摆率	0.13 mA	-	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20	20
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

R1RW0416DGE-2LR

R1RW0416DGE-2LR概述

R1RW0416DGE-2LR规格参数

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