75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
75 A, 1700 V, N沟道 IGBT
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
额定关断时间 | 595 ns |
最大集电极电流 | 75 A |
最大集电极发射极电压 | 1700 V |
加工封装描述 | MINIBLOC-4 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子涂层 | NICKEL |
端子位置 | UPPER |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | ISOLATED |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
额定导通时间 | 65 ns |
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