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THX15C

产品描述NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小19KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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THX15C概述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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THX15C
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI THX15C
is a Common
Emitter Device Designed for High
Linearity Class A/AB HF Applications.
PACKAGE STYLE .550 4L STUD
FEATURES INCLUDE:
Gold Metalization
Emitter Ballasting
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
10 A
110 V
233 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +200 °C
0.75 °C/W
1 = COLLECTOR
2 & 4 = EMITTER
3 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
I
CEO
h
FE
C
ob
P
g
IMD
3
η
C
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 60 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 50 V
V
CE
= 50 V
f = 30 MHz
I
cq
= 100 mA
P
out
=150 W
(PEP)
I
C
= 1.4 A
f = 1.0 MHz
V
BE
= 0 V
V
BE
= 0 V
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
55
110
110
4.0
5.0
5.0
22.5
27.0
220
14
37
-37
45
-30
UNITS
V
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
dBc
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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