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HM5116400S-6

产品描述4,194,304 - WORD X 4-BIT DYNAMIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小278KB,共33页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM5116400S-6概述

4,194,304 - WORD X 4-BIT DYNAMIC RAM

HM5116400S-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/26,.34
针数24
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度16.9 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

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HM5116400 Series
HM5117400 Series
4,194,304-word
4-bit Dynamic RAM
ADE-203-648C (Z)
Rev. 3.0
Feb. 27, 1997
Description
The Hitachi HM5116400 Series, HM5117400 Series are CMOS dynamic RAMs organized 4,194,304-word
4-bit. They employ the most advanced 0.5 m CMOS technology for high performance and low power.
The HM5116400 Series, HM5117400 Series offer Fast Page Mode as a high speed access mode. They
have package variations of standard 300-mil 26-pin plastic SOJ and standard 300-mil 26-pin plastic TSOP.
Features
Single 5 V ( 10%)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode : 495 mW/440 mW/385 mW (max) (HM5116400 Series)
: 550 mW/495 mW/440 mW (max) (HM5117400 Series)
Standby mode : 11 mW (max)
: 0.83 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
Long refresh period
4096 refresh cycles : 64 ms (HM5116400 Series)
: 128 ms (L-version)
2048 refresh cycles : 32 ms (HM5117400 Series)
: 128 ms (L-version)
3 variations of refresh
-only refresh
-before-
refresh
Hidden refresh
Battery backup operation (L-version)
Test function
16-bit parallel test mode
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