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APTGF150DH120

产品描述Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APTGF150DH120概述

Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

APTGF150DH120规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X8
元件数量2
端子数量8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)530 ns
标称接通时间 (ton)120 ns
Base Number Matches1

 
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