57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
57 A, 400 V, 0.07 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-264AA
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 400 V |
加工封装描述 | TO-264, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 银 铜 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 57 A |
额定雪崩能量 | 2500 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0700 ohm |
最大漏电流脉冲 | 228 A |
APT40M70LVFR | APT40M70B2VFR | APT40M70B2VFRG | APT40M70LVFRG | |
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描述 | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最小击穿电压 | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
加工封装描述 | TO-264, 3 PIN | TO-264, 3 PIN | TO-264, 3 PIN | TO-264, 3 PIN |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-线 | IN-线 | IN-线 | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 银 铜 | 锡 银 铜 | 锡 银 铜 | 锡 银 铜 |
端子位置 | 单一的 | 单一的 | 单一的 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 | 开关 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | 硅 | 硅 |
通道类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 | 通用电源 |
最大漏电流 | 57 A | 57 A | 57 A | 57 A |
额定雪崩能量 | 2500 mJ | 2500 mJ | 2500 mJ | 2500 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0700 ohm | 0.0700 ohm | 0.0700 ohm | 0.0700 ohm |
最大漏电流脉冲 | 228 A | 228 A | 228 A | 228 A |
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