电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

APT15GP90BDQ1G

产品描述43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小423KB,共9页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

APT15GP90BDQ1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
APT15GP90BDQ1G - - 点击查看 点击购买

APT15GP90BDQ1G概述

43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD

43 A, 900 V, N沟道 IGBT, TO-247AD

APT15GP90BDQ1G规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)43 A
集电极-发射极最大电压900 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)170 ns
标称接通时间 (ton)23 ns

APT15GP90BDQ1G相似产品对比

APT15GP90BDQ1G APT15GP90BDQ1
描述 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
厂商名称 ADPOW ADPOW
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 43 A 43 A
集电极-发射极最大电压 900 V 900 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 170 ns 170 ns
标称接通时间 (ton) 23 ns 23 ns

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 3  153  324  414  657 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved