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AP4513GM

产品描述N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共7页
制造商APEC
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AP4513GM概述

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP4513GM规格参数

参数名称属性值
厂商名称APEC
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)12.5 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压35 V
最大漏源导通电阻0.036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

AP4513GM相似产品对比

AP4513GM AP4501GD
描述 N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
厂商名称 APEC APEC
零件包装代码 SOT DIP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 IN-LINE, R-PDIP-T8
针数 8 8
Reach Compliance Code compli compli
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 35 V 30 V
最大漏源导通电阻 0.036 Ω 0.028 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A 20 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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