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LH51256L

产品描述CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM
文件大小428KB,共7页
制造商SHARP
官网地址http://sharp-world.com/products/device/
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LH51256L概述

CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM

LH51256L相似产品对比

LH51256L LH51256-12L LH51256-10L LH51256N-12L
描述 CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - SHARP SHARP SHARP
包装说明 - 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 DIP-28 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow
最长访问时间 - 120 ns 100 ns 120 ns
其他特性 - TTL COMPATIBLE INPUT TTL COMPATIBLE INPUT TTL COMPATIBLE INPUT
JESD-30 代码 - R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 - e0 e0 e0
长度 - 36 mm 36 mm 18 mm
内存密度 - 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 - 8 8 8
功能数量 - 1 1 1
端口数量 - 1 1 1
端子数量 - 28 28 28
字数 - 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 - 32000 32000 32000
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 - 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 - YES YES YES
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - DIP DIP SOP
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 5.2 mm 5.2 mm 2.6 mm
最小待机电流 - 2 V 2 V 2 V
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 - NO NO YES
技术 - CMOS CMOS CMOS
温度等级 - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL
宽度 - 15.24 mm 15.24 mm 8.6 mm

 
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