电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SM6T42AY

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
产品类别电路保护   
文件大小510KB,共13页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SM6T42AY在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SM6T42AY - - 点击查看 点击购买

SM6T42AY概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni

SM6T42AY规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ST(意法半导体)
产品种类
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
RoHSDetails
PolarityUnidirectional
端接类型
Termination Style
SMD/SMT
Breakdown Voltage42.1 V
Working Voltage30 V
Clamping Voltage58.1 V
封装 / 箱体
Package / Case
DO-214AA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
600 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
资格
Qualification
AEC-Q100
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
单位重量
Unit Weight
0.003880 oz

文档预览

下载PDF文档
SM6TY
Automotive 600 W Transil™
Datasheet - production data
A
A
ISO 7637-2
a
Pulse 1: V
S
= -150 V
Pulse 2a: V
S
= +112 V
Pulse 3a: V
S
= -220 V
Pulse3b: V
S
= +150 V
Description
K
K
Unidirectional Bidirectional
SMB
(JEDEC DO-214AA)
The SM6TY Transil series has been designed to
protect sensitive automotive circuits against
surges defined in ISO 7637-2 and against
electrostatic discharges according ISO 10605.
The planar technology makes this device
compatible with high-end circuits where low
leakage current and high junction temperature
are required to provide reliability and stability
over time. SM6TY are packaged in SMB (SMB
footprint in accordance with IPC 7531 standard).
Transil™ is a trademark of STMicroelectronics.
Features
AEC-Q101 qualified
Peak pulse power:
600 W (10/1000 μs)
4 kW (8/20 μs)
Stand-off voltage range: from 6 V to 70 V
Unidirectional and bidirectional types
Low leakage current:
0.2 μA at 25 °C
1 μA at 85 °C
Operating T
j
max: 150 °C
High power capability at T
j
max.:
515 W (10/1000 µs)
JEDEC registered package outline
Resin meets UL 94, V0
Complies with the following
standards
ISO 10605, C = 150 pF, R = 330 Ω:
30 kV (air discharge)
30 kV (contact discharge)
ISO 10605, C = 330 pF, R = 330 Ω:
30 kV (air discharge)
30 kV (contact discharge)
a
Not applicable to parts with stand-off voltage lower than the
average battery voltage (13.5 V).
January 2018
DocID17741 Rev 7
1/13
www.st.com
This is information on a product in full production.
一种新型高电压充电方式
目前对于UPS、EPS、逆变电源等的大功率产品,开发设计者设计的蓄电池逆变电压往往很高。面对由很多蓄电池串联而成的高电压蓄电池组,设计者对蓄电池组的充电往往以市电经过变压器升压后整流或市 ......
simamy 电源技术
数据采集显示问题
我用C++Builder编了个显示界面,用来显示研华PCL818L采集卡采得的数据。选用的定时器每隔1ms读一次采集卡,然后把所读数据通过波形动态显示到界面,波形显示也是每隔1ms刷新一次。结果发现对标 ......
haian_bch 嵌入式系统
寻求合作!!!!有机电控制高手望参与
寻求机电一体化高手. 机电控制到PIC编程, 直流电机的控制,无线遥控.电子定位.从设计到产品.QQ:147342384...
happyahead 嵌入式系统
1
本帖最后由 qq825117996 于 2020-9-3 11:12 编辑 void MX_TIM7_Init(void) { LL_TIM_InitTypeDef TIM_InitStruct = {0}; /* Peripheral clock enable */ LL_APB1_GRP1_EnableC ......
qq825117996 stm32/stm8
IBM xSeries——常用RAID适配器主要特性与适用机
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 IBM xSeries——常用RAID适配器主要特性与适用机ServerRAID 6M 适配器(P/N: 32P0033--128M Cache; P/N:02R0988--56M Cache)主要特点: ......
Felix 消费电子
IBM新型硅锗BiCMOS工艺可实现超高频RF IC
借助IBM公司开发的一种新型硅锗(SiGe)BiCMOS工艺,商用RF IC有可能跳越到前所未闻的频率。8HP工艺及其低成本版8WL工艺的性能基本上是现有BiCMOS工艺的两倍,专为部分由于昂贵的RF成本从而至今未 ......
fighting 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1042  1038  1650  2075  668  24  20  39  10  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved