256MB DDR SDRAM MODULE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | 200 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 |
内存密度 | 2147483648 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.024 A |
最大压摆率 | 1.38 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
M470L3224DT0-CA2 | M470L3224DT0 | M470L3224DT0-CB0 | MAX5868EVKIT | M470L3224DT0-LB0 | M470L3224DT0-LB3 | M470L3224DT0-LA0 | M470L3224DT0-CA0 | M470L3224DT0-LA2 | |
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描述 | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE | Evaluates the MAX5868 RF DAC Performance, Evaluates the MAX5868 RF DAC Performance, | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE | 256MB DDR SDRAM MODULE |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | MODULE | - | MODULE | - | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 | - | DIMM, DIMM200,24 | - | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | 200 | - | 200 | - | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Is Samacsys | N | - | N | - | N | N | N | N | N |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns | - | 0.75 ns | - | 0.75 ns | 0.7 ns | 0.8 ns | 0.8 ns | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | - | 133 MHz | - | 133 MHz | 166 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 | - | R-XDMA-N200 | - | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 |
内存密度 | 2147483648 bi | - | 2147483648 bi | - | 2147483648 bi | 2147483648 bi | 2147483648 bi | 2147483648 bi | 2147483648 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | - | DDR DRAM MODULE | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | - | 64 | - | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 200 | - | 200 | - | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
字数 | 33554432 words | - | 33554432 words | - | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 | - | 32000000 | - | 32000000 | 32000000 | 32000000 | 32000000 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32MX64 | - | 32MX64 | - | 32MX64 | 32MX64 | 32MX64 | 32MX64 | 32MX64 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | - | DIMM | - | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 | - | DIMM200,24 | - | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | - | 225 | - | 225 | 225 | 225 | 225 | 225 |
电源 | 2.5 V | - | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | - | 8192 | - | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
自我刷新 | YES | - | YES | - | YES | YES | YES | YES | YES |
最大待机电流 | 0.024 A | - | 0.024 A | - | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A |
最大压摆率 | 1.38 mA | - | 1.38 mA | - | 1.38 mA | 1.62 mA | 1.2 mA | 1.2 mA | 1.38 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | - | 2.3 V | - | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | NO | - | NO | - | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm | - | 0.6 mm | - | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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