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MXSMLJ51Ae3

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小895KB,共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MXSMLJ51Ae3概述

ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor

MXSMLJ51Ae3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压62.7 V
最小击穿电压56.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.61 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压51 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式J BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1
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