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2SD1149

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小281KB,共6页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SD1149概述

NPN EPITAXIAL PLANAR

2SD1149规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.02 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)400
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

2SD1149相似产品对比

2SD1149 2SD1154 2SD1151
描述 NPN EPITAXIAL PLANAR NPN EPITAXIAL PLANAR NPN EPITAXIAL PLANAR
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.02 A 7 A 5 A
配置 SINGLE Single DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 400 11 40
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 140 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 50 W 95 W
表面贴装 YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1
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