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1N6761UR-1

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小80KB,共2页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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1N6761UR-1概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATASHEET 4244, Rev-
1N6761-1/N6761UR-1
1N6824-1/1N6824UR-1
SCHOTTKY FAST SWITCHING DIODES
Sensitron’s Power Semiconductor Products have been used in space, military and high-rel applications for more
than 30 years. Our 100V Schottky fast switching diodes, 1N6761-1/UR-1 & 1N6824-1/UR-1, are available in both
axial and melf packaging. We also supply 100V Schottky die products.
Applications / Markets:
▼Switching
power supply
▼Converters
▼Free-Wheeling
Diodes
▼Polarity
protection diode
▼High-rel
industrial
▼Military
▼Aerospace
Space/satellites
Features / Benefits:
▼Ultra-low
reverse leakage current
▼Soft
Reverse Recovery at Low and High Temperature
▼Very
Low Forward Voltage Drop
▼Low
Power Loss, High Efficiency
▼High
Surge Capacity
▼Guaranteed
Reverse Avalanche Characteristics
▼Outperforms
100 Volt Ultra Fast Rectifiers
▼Hermetic,
non-cavity glass package
▼Metallurgically
bonded
▼Screening
to TX, TXV, S levels available
All ratings are at T
A
= 25
o
C unless otherwise specified.
RATING
Peak Inverse Voltage
Average DC Output Current (I
o
)
Peak Single Cycle Surge Current (I
fsm
)
CHARACTERISTIC
Maximum Forward Voltage
Maximum Forward Voltage
6761
6824
6761
Maximum Instantaneous
Reverse Current At Rated VRWM
Junction Capacitance (C
J
)
6824
6761
6824
6761
Ir
Vf
Vf
SYMBOL
VRWM
Io
IFSM
t
p
= 8.3 ms Half Sine Wave,
CONDITIONS
I
F
= 0.1A (300
µsec
pulse,
duty cycle < 2%)
I
F
= 1.0A (300
µsec
pulse,
duty cycle < 2%)
T
A
= 25° C VR=100V
T
A
= 100° C
V
R
= 5 Vdc
-
CONDITIONS
MIN
-
-
-
MIN
-
-
MAX
100
1.0
25
MAX
0.38
0.49
0.69
-
10
100
40
70
pF
µAmps
UNIT
Vdc
Amps
Amps(pk)
UNIT
Volts
Volts
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729
(631) 586 7600 FAX (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com
E-mail Address - sales@sensitron.com

1N6761UR-1相似产品对比

1N6761UR-1 1N6761-1 1N6824-1 1N6824UR-1
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 - DO-41 DO-213AB DO-213AB
包装说明 - O-XALF-W2 O-XELF-R2 O-XELF-R2
针数 - 2 2 2
Reach Compliance Code - compliant compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys - N N N
其他特性 - LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 - DO-41 DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 - O-XALF-W2 O-XELF-R2 O-XELF-R2
湿度敏感等级 - 1 1 1
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 2 2 2
最大输出电流 - 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO YES YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - WIRE WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 - AXIAL END END
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1 1
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