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1N6296ARL

产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N6296ARL概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6296ARL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED , LOW IMPEDANCE
最大击穿电压116 V
最小击穿电压105 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压110 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5.4%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1
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