电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1.5SMCJ60CATR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商World Produts Inc.
官网地址http://www.worldproducts.com
下载文档 详细参数 全文预览

1.5SMCJ60CATR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

1.5SMCJ60CATR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压66.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
World Products Inc. 19654 8th St. East, Sonoma, CA, USA, 95476 . . Phone: (707) 996-5201 . . Fax: (707) 996-3380
TVS Diodes - Surface Mount - 1500 Watt Specifications -
1.5SMCJ Series Electrical
Characteristics
Part
Number*
1.5SMCJ5.0
1.5SMCJ5.0A
1.5SMCJ6.0
1.5SMCJ6.0A
1.5SMCJ6.5
1.5SMCJ6.5A
1.5SMCJ7.0
1.5SMCJ7.0A
1.5SMCJ7.5
1.5SMCJ7.5A
1.5SMCJ8.0
1.5SMCJ8.0A
1.5SMCJ8.5
1.5SMCJ8.5A
1.5SMCJ9.0
1.5SMCJ9.0A
1.5SMCJ10
1.5SMCJ10A
1.5SMCJ11
1.5SMCJ11A
1.5SMCJ12
1.5SMCJ12A
1.5SMCJ13
1.5SMCJ13A
1.5SMCJ14
1.5SMCJ14A
10/1000µs
Maximum Maximum 10/1000µs
Rated Breakdown Voltage Stand By Clamping Rated Peak
Standoff
Current
Voltage
Impulse
Voltage
@Vwm+ @Ippm#
Current
Uni
Bi
Vwm
Vbr Min
@It
Id
Vc Max
Ippm#
Part
Part
Marking Marking (Volts)
(Volts)
(mA)
(µA)
(Volts)
(Amperes)
GDD
BDD
5.0
6.40
10
1000
9.6
156.2
GDE
BDE
5.0
6.40
10
1000
9.2
163.0
GDF
BDF
6.0
6.67
10
1000
11.4
131.6
GDG
BDG
6.0
6.67
10
1000
10.3
145.6
GDH
BDH
6.5
7.22
10
500
12.3
122.0
GDK
BDK
6.5
7.22
10
500
11.2
133.9
GDL
BDL
7.0
7.78
10
200
13.3
112.8
GDM
BDM
7.0
7.78
10
200
12.0
125.0
GDN
BDN
7.5
8.33
1
100
14.3
104.9
GDP
BDP
7.5
8.33
1
100
12.9
116.3
GDQ
BDQ
8.0
8.89
1
50
15.0
100.0
GDR
BDR
8.0
8.89
1
50
13.6
110.3
GDS
BDS
8.5
9.44
1
25
15.9
94.3
GDT
BDT
8.5
9.44
1
20
14.4
104.2
GDU
BDU
9.0
10.00
1
10
16.9
88.7
GDV
BDV
9.0
10.00
1
10
15.4
97.4
GDW
BDW
10.0
11.10
1
5
18.8
79.8
GDX
BDX
10.0
11.10
1
5
17.0
88.2
GDY
BDY
11.0
12.20
1
5
20.1
74.6
GDZ
BDZ
11.0
12.20
1
5
18.2
82.4
GED
BED
12.0
13.30
1
5
22.0
68.2
GEE
BEE
12.0
13.30
1
5
19.9
75.3
GEF
BEF
13.0
14.40
1
5
23.8
63.0
GEG
BEG
13.0
14.40
1
5
21.5
69.7
GEH
BEH
14.0
15.60
1
5
25.8
58.1
GEK
BEK
14.0
15.60
1
5
23.2
64.7
* = Add "C" or "CA" suffix for bidirectional device types.
+ = For Bidirectional Types Having Vwm <= 10V, their Id limit is doubled.
# = See General Information for Impulse Current Waveform.
你好,我也在做wince下的读取本机号码的功能,但是还不知道怎么实现,可以指点下吗?
你好,我也在做wince下的读取本机号码的功能,但是还不知道怎么实现,可以指点下吗? 我看到你的帖子已经实现了读取源代码的功能,可以提供你的源代码实现示例给我学习一下吗?谢谢了...
goocoic 嵌入式系统
关于点阵字体格式转换,bdf2bmf
由于bdf格式的文件比较占用空间,所以想用bmf格式来替换bdf的格式。 现在想找一个工具将bdf转换为bmf。有一个日本人写的程序bdf2bmf,是一个C 源文件,但缺少头文件,编译不了。 请问路过的各 ......
wzer19 嵌入式系统
超前进位加法器代码分析
为什么 cin首先从这里输入,cla c2(ggp,ggg,cin,ggc,gggp,gggg);而且低层的进位都有高层来产生吗?//超前进位加法器`define word_size 32`define word `define n 4`define slice `define s0 (1* ......
eeleader FPGA/CPLD
分享一本书《Circuit Design with VHDL》
很好的一本书...
357482894 FPGA/CPLD
今天去看美女了~
爆个料,今天去EE看美女去了:victory:...
jishuaihu 聊聊、笑笑、闹闹
哪种晶振可与 MSP430 一起使用?
32.768kHz 晶振与 MSP430 一起使用时需要遵循的重要规格是: 负载电容(请参阅数据表中的具体说明) 注:有效负载电容 晶振制造商通常会在晶振的数据表中定义有效负载电容。从电子学角度来说 ......
Aguilera 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 574  1210  1567  2074  2625  14  53  39  47  32 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved