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Jantxv2N6546

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jantxv2N6546概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

Jantxv2N6546规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078586985
零件包装代码TO-204AA
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerMicrosemi Corporation
Samacsys Modified On2020-06-10 02:09:47
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)6
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/525C
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz

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TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/525
Devices
2N6546
2N6547
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CEX
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op,
T
stg
Symbol
2N6546
300
600
2N6547
400
850
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0
C
Unit
C/W
*See Appendix A for Package
Outline
@ T
C
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +100
0
C
(1)
Operating & Storage Temperature Range
8
10
15
175
100
-65 to +200
TO-3 (TO-204AA)*
THERMAL CHARACTERISTICS
Max.
1.0
R
θ
JC
0
0
1) Between T
C
= +25 C and T
C
= +200 C, linear derating factor (average) = 1.0 W/
0
C
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 600 Vdc; V
BE
= 1.5 Vdc
V
CE
= 850 Vdc; V
BE
= 1.5 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 8 Vdc
2N6546
2N6547
2N6546
2N6547
V
(BR)
CEO
300
400
1.0
1.0
1.0
Vdc
I
CEX
I
EBO
mAdc
mAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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Jantxv2N6546 Jantx2N6547
描述 Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA
包装说明 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 300 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 6 6
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 175 W 175 W
认证状态 Not Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/525C MIL-19500/525C
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
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晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 6 MHz 6 MHz
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