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SMMBTA56LT3G

产品描述Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小141KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SMMBTA56LT3G概述

Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR

SMMBTA56LT3G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time5 weeks
Samacsys DescriptionON Semi SMMBTA56LT3G PNP Bipolar Transistor, -500 mA, -80 V, 3-Pin SOT-23
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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MMBTA55L Series,
MMBTA56L Series,
SMMBTA56L Series
Driver Transistors
PNP Silicon
Features
www.onsemi.com
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
SOT−23
CASE 318
STYLE 6
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector
−Emitter
Voltage
MMBTA55
MMBTA56, SMMBTA56
Collector
−Base
Voltage
MMBTA55
MMBTA56, SMMBTA56
Emitter
−Base
Voltage
Collector Current
Continuous
Symbol
V
CEO
Value
−60
−80
−60
−80
−4.0
−500
Unit
Vdc
1
BASE
V
CBO
Vdc
2
EMITTER
V
EBO
I
C
Vdc
mAdc
MARKING DIAGRAM
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR− 5 Board
(Note 1) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Total Device Dissipation Alumina
Substrate, (Note 2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
1.8
556
300
2.4
417
−55
to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
1
2xx M
G
G
R
qJA
P
D
2xx = Device Code
x = H for MMBTA55LT1G
xx = GM for MMBTA56LT1G,
SMMBTA56LT1G
M = Date Code*
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
R
qJA
T
J
, T
stg
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. FR− 5 = 1.0

0.75

0.062 in.
2. Alumina = 0.4

0.3

0.024 in. 99.5% alumina.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 1994
October, 2016
Rev. 8
1
Publication Order Number:
MMBTA55LT1/D
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