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MBRT60060

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 60P42RV
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小450KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRT60060概述

Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 60P42RV

MBRT60060规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer		GeneSiC
产品种类
Product Category		Schottky Diodes & Rectifiers
Shipping RestrictionsThis product may require additional documentation to export from the United States.
RoHSDetails
产品
Product		Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		Module
If - Forward Current600 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage60 V
Vf - Forward Voltage0.8 V
Ifsm - Forward Surge Current4000 A
技术
Technology		Si
Ir - Reverse Current1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
系列
Packaging		Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		- 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		25

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MBRT60045 thru MBRT600100R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 45 V to 100 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated Base Plate
• Not ESD Sensitive
Three Tower Package
V
RRM
= 45 V - 100 V
I
F(AV)
= 600 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRT60045(R) MBRT60060(R) MBRT60080(R) MBRT600100(R) Unit
45
32
45
-55 to 150
-55 to 150
60
42
60
-55 to 150
-55 to 150
80
56
80
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum instantaneous
forward voltage (per leg)
Maximum Instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
=125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 300 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRT60045(R) MBRT60060(R) MBRT60080(R) MBRT600100(R) Unit
600
4000
0.75
1
10
50
0.28
600
4000
0.80
1
10
50
0.28
600
4000
0.84
1
10
50
0.28
600
4000
0.84
1
10
50
0.28
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

MBRT60060相似产品对比

MBRT60060 MBRT60060R
描述 Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 60P42RV Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 60P42RV
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer		 GeneSiC GeneSiC
产品种类
Product Category		 Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers
Shipping Restrictions This product may require additional documentation to export from the United States. This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS Details Details
产品
Product		 Schottky Diodes Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 Module Module
If - Forward Current 600 A 600 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 60 V 60 V
Vf - Forward Voltage 0.8 V 0.8 V
Ifsm - Forward Surge Current 4000 A 4000 A
技术
Technology		 Si Si
Ir - Reverse Current 1 uA 1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C + 150 C
系列
Packaging		 Bulk Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		 - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 25 25

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