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IRFSL7534PBF

产品描述MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFSL7534PBF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRFSL7534PBF概述

MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power

IRFSL7534PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
雪崩能效等级(Eas)775 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)195 A
最大漏极电流 (ID)195 A
最大漏源导通电阻0.0024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)294 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)944 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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