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VN1206L

产品描述MOSFET 120V 6Ohm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小338KB,共3页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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VN1206L概述

MOSFET 120V 6Ohm

VN1206L规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSN
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage120 V
Id - Continuous Drain Current230 mA
Rds On - Drain-Source Resistance6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
高度
Height
5.33 mm
长度
Length
5.21 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
FET
宽度
Width
4.19 mm
Fall Time12 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W
Rise Time8 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
Typical Turn-Off Delay Time18 ns
Typical Turn-On Delay Time8 ns
单位重量
Unit Weight
0.007760 oz

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描述 MOSFET 120V 6Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET 120V 6Ohm MOSFET 120V 6Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET - MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS N Detailsecsdrquedtdcyu - No Details Details
技术
Technology
Si Si - Si Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole - Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3 - TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel - 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel - N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 120 V 120 V - 120 V 120 V 120 V
Id - Continuous Drain Current 230 mA 230 mA - 230 mA 230 mA 230 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 6 Ohms 10 Ohms - 6 Ohms 10 Ohms 10 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V - - 30 V 30 V 30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - - - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C - - + 150 C + 150 C + 150 C
Configuration Single Single - Single Single Single
Channel Mode Enhancement Enhancement - Enhancement Enhancement Enhancement
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel - 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
Fall Time 12 ns - - 12 ns 12 ns 12 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W - - 1 W 1 W 1 W
Rise Time 8 ns - - 8 ns 15 ns 8 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000 2000 - 2000 2000 2000
Typical Turn-Off Delay Time 18 ns - - 18 ns 15 ns 18 ns
Typical Turn-On Delay Time 8 ns - - 8 ns 20 ns 8 ns
单位重量
Unit Weight
0.007760 oz 0.016000 oz - 0.007760 oz 0.016000 oz 0.016000 oz
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