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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTX2N5151
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JANTX2N5151

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB，共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTX2N5151在线购买

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JANTX2N5151概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JANTX2N5151规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BCY
包装说明SIMILAR TO TO-205, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/545E
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
最大关闭时间（toff）1500 ns
最大开启时间（吨）500 ns

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/545
DEVICES
LEVELS
2N5151
2N5151L
2N5151U3
2N5153
2N5153L
2N5153U3
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
2N5151, 2N5153, L
2N5151, 2N5153, L
2N5151U3, 2N5153U3
2N5151U3, 2N5153U3
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
@ T
A
= +25°C
(3)
@ T
C
= +25°C
(4)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
80
100
5.5
2.0
1.0
10
1.16
100
-65 to +200
10
1.75 (U3)
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
P
T
W
TO-5
2N5151L, 2N5153L
(See Figure 1)
Operating & Storage Junction Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to Case
Note:
1)
2)
3)
4)
Derate linearly 5.7mW/°C for T
A
> +25°
Derate linearly 66.7mW/°C for T
A
> +25°
Derate linearly 6.63mW/°C for T
A
> +25°
Derate linearly 571mW/°C for T
A
> +25°
T
J
, T
stg
R
θJC
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100mAdc, I
B
= 0
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0Vdc, I
C
= 0
V
EB
= 5.5Vdc, I
C
= 0
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60Vdc, V
BE
= 0
V
CE
= 100Vdc, V
BE
= 0
Collector-Base Cutoff Current
V
CE
= 40Vdc, I
B
= 0
V
(BR)CEO
80
Vdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
TO-39 (TO-205AD)
2N5151, 2N5153
I
EBO
1.0
1.0
µAdc
mAdc
I
CES
1.0
1.0
50
µAdc
mAdc
µAdc
U-3
2N5151U3, 2N5153U3
I
CEO
T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)
Page 1 of 4

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描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, SIMILAR TO TO-205, 3 PIN Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 422000ohm, 500V, 0.25% +/-Tol, 50ppm/Cel, Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 218000ohm, 2000V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant compliant unknown compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e3 e0 e0 e0
端子数量 3 3 3 3 3 3 2 3 3 2
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL Axial CYLINDRICAL CYLINDRICAL Axial
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - - 含铅 -
零件包装代码 BCY TO-5 BCY TO-5 TO-5 TO-5 - TO-5 TO-5 -
包装说明 SIMILAR TO TO-205, 3 PIN SIMILAR TO TO-205, 3 PIN SIMILAR TO TO-205, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SIMILAR TO TO-205, 3 PIN - - CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 -
针数 4 3 4 3 3 3 - 3 3 -
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A - - 2 A -
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V - - 80 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - - SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 20 40 20 40 20 20 - - 40 -
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-5 TO-205AD TO-5 TO-5 TO-5 - TO-5 TO-5 -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 - - 1 -
最高工作温度 175 °C 200 °C 175 °C 200 °C 200 °C 175 °C 160 °C - 175 °C 155 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL - METAL METAL -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND ROUND CYLINDRICAL PACKAGE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP - - PNP -
最大功率耗散 (Abs) 1 W - 1 W 11.8 W 11.8 W 1 W - - 1 W -
认证状态 Qualified Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified - Qualified Qualified -
参考标准 MIL-19500/545E MIL-19500/545E MIL-19500/545E - - MIL-19500/545E - MILITARY STANDARD (USA) MIL-19500/545E -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO - NO NO -
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE - WIRE WIRE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON -
最大关闭时间（toff） 1500 ns 1500 ns 1500 ns 1900 ns 1900 ns 1500 ns - - 1500 ns -
最大开启时间（吨） 500 ns 500 ns 500 ns 1900 ns 1900 ns 500 ns - - 500 ns -

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