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RS1E320GNTB

产品描述MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共13页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RS1E320GNTB在线购买

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RS1E320GNTB概述

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E320GNTB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HSOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)32 A
最大漏源导通电阻0.0024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)128 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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