Datasheet> 器件分类 > 半导体> 电源管理> SI8232AB-B-IS1R

SI8232AB-B-IS1R: 产品描述Gate Drivers 2.5kV .5A Dual Low Side ISO drvr NB 5V; 产品类别半导体电源管理; 文件大小620KB，共57页; 制造商Silicon Laboratories

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SI8232AB-B-IS1R概述

Gate Drivers 2.5kV .5A Dual Low Side ISO drvr NB 5V

SI8232AB-B-IS1R规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Silicon Laboratories
产品种类 Product Category	Gate Drivers
RoHS	Details
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500

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Si823x

0.5

AND

4 . 0 A

I S O

D R I V E R S

(2.5

AND

RMS

)

Features



Two completely isolated drivers



60 ns propagation delay (max)

in one package



Independent HS and LS inputs or



Up to 5 kV

RMS

input-to-output

PWM input versions

isolation



Transient immunity >45 kV/µs



Up to 1500 V

peak driver-to-



Overlap protection and

driver differential voltage

programmable dead time

HS/LS and dual driver versions



AEC-Q100 qualification

Up to 8 MHz switching frequency



Wide operating range

0.5 A peak output (Si8230/1/2/7)



–40 to +125 °C



RoHS-compliant packages

4.0 A peak output

(Si8233/4/5/6/8)



SOIC-16 wide body

High electromagnetic immunity



SOIC-16



LGA-14

narrow body

Applications



Power delivery systems



Motor control systems



Isolated dc-dc power supplies



Lighting control systems



Plasma displays



Solar and industrial inverters

Safety Approval



UL 1577 recognized





VDE certification conformity



IEC

to 5000 Vrms for 1 minute

CSA component notice 5A

approval



IEC

60747-5-5 (VDE 0884 Part 5)



EN 60950-1 (reinforced

insulation)



60950-1, 61010-1, 60601-1

(reinforced insulation)

CQC certification approval



GB4943.1

Description

The Si823x isolated driver family combines two independent, isolated

drivers into a single package. The Si8230/1/3/4 are high-side/low-side

drivers, and the Si8232/5/6/7/8 are dual drivers. Versions with peak

output currents of 0.5 A (Si8230/1/2/7) and 4.0 A (Si8233/4/5/6/8) are

available. All drivers operate with a maximum supply voltage of 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation

technology, which provides up to 5 kV

RMS

withstand voltage per UL1577

and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the

same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage.

The TTL level compatible inputs with >400 mV hysteresis are available in

individual control input (Si8230/2/3/5/6/7/8) or PWM input (Si8231/4)

configurations. High integration, low propagation delay, small installed

size, flexibility, and cost-effectiveness make the Si823x family ideal for a

wide range of isolated MOSFET/IGBT gate drive applications.

Ordering Information:

See page 39.

Rev. 1.6 4/14

Si823x

Si823x

ABLE

Section

ONTENTS

Page

1. Top-Level Block Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

2. Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

2.1. Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

3. Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1. Typical Operating Characteristics (0.5 Amp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

3.2. Typical Operating Characteristics (4.0 Amp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.3. Family Overview and Logic Operation During Startup . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

3.4. Power Supply Connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.5. Power Dissipation Considerations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

3.6. Layout Considerations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.7. Undervoltage Lockout Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.8. Programmable Dead Time and Overlap Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

4. Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.1. High-Side/Low-Side Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.2. Dual Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

4.3. Dual Driver with Thermally Enhanced Package (Si8236) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

5. Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6. Ordering Guide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

7. Package Outline: 16-Pin Wide Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

8. Land Pattern: 16-Pin Wide Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

9. Package Outline: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

10. Land Pattern: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

11. Package Outline: 14 LD LGA (5 x 5 mm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

12. Land Pattern: 14 LD LGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

13. Package Outline: 14 LD LGA with Thermal Pad (5 x 5 mm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

14. Land Pattern: 14 LD LGA with Thermal Pad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

15. Top Markings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.1. Si823x Top Marking (16-Pin Wide Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.2. Top Marking Explanation (16-Pin Wide Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.3. Si823x Top Marking (16-Pin Narrow Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

15.4. Top Marking Explanation (16-Pin Narrow Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

15.5. Si823x Top Marking (14 LD LGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

15.6. Top Marking Explanation (14 LD LGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Document Change List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

Contact Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

Rev. 1.6

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