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2SD2654TLW: 产品描述Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共10页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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2SD2654TLW概述

Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN

2SD2654TLW规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SC-75A
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	13 weeks
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	1200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
Base Number Matches	1

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描述	Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN	Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA	Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A	Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA	Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 383ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP	Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 150MA
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CHIP	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
JESD-609代码	e1	e1	e2	e1	e1	e4	e1
端子数量	3	3	3	3	3	2	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	155 °C	150 °C
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMT	SMALL OUTLINE
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Gold (Au)	TIN SILVER COPPER
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅
零件包装代码	SC-75A	SC-59	SC-75A	SC-70	SC-75A	-	SC-59
针数	3	3	3	3	3	-	3
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
Factory Lead Time	13 weeks	13 weeks	13 weeks	13 weeks	13 weeks	-	13 weeks
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	-	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	-	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	1200	820	820	820	820	-	1200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-F3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	-	-
元件数量	1	1	1	1	1	-	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	-	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	-	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W	0.2 W	0.15 W	0.2 W	0.15 W	-	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
端子形式	GULL WING	GULL WING	FLAT	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	-	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	-	250 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	1

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